FD-SOI node-on is képes gyártani a beágyazott MRAM-ját a Samsung
A vállalat a 28 nm-es eljárására épít, és az 1 gigabites kapacitás is elérhető lesz.
Ez is érdekelhet
This post does not belong to the specified category.
számítógépre van szüksége? Segítünk kiválasztani az ideálísat!
Ez a weboldal a felhasználói élmény javítása, valamint a zavartalan működés biztosítása érdekében sütiket (cookie-kat) használ. A sütik kikapcsolása a böngésző beállításaiban lehetséges.
